由于星逸半导体起步太晚，40纳米处于追赶，28纳米处于追赶，或许20纳米也处于追赶。
但接下来的14纳米，10纳米，完全有希望弯道超车。
无他，打破20纳米魔咒，做出14纳米工艺的ffet（鳍式场效应晶体管），就是胡老研发的！
没有ffet，全球半导体不知道还会在20纳米工艺卡上多少年。
是胡老的ffet，让16纳米、14纳米，10纳米，都有了可能。
因此，没有谁能比胡老更懂ffet，更懂得如何突破20纳米，如何做14纳米，做10纳米！
可以说，跟着王逸，胡老有希望成为14纳米，甚至10纳米的奠基人！
而有了胡老，星逸半导体在14纳米，10纳米领域，也有了弯道超车，追赶甚至超越台积电、三星、英特尔的可能！
双方互相成就！
但再往下，那就难了。
一来，7纳米以下的制程需要euv光刻机。
哪怕是多重曝光技术，能够用duv光刻机量产7纳米芯片，甚至5纳米芯片，也需要高端的duv光刻机！
比如1970i，1980di，2000i，以及更高端的机型。
其中，1970i就是底线。
然而，之前星逸半导体买的光刻机，大都是1950i。
由于王逸买得多，每次下单都是几十台，都是上百亿的大单，以及胡老的面子，阿斯麦最近才开始交付1960i。
并且在明年，开始交付1970i！
euv光刻机用了大量的技术。
阿斯麦会封锁。
但duv光刻机用的技术不多，也不是最先进的，目前也没有封锁。
哪怕多年后，也只是封锁euv光刻机，以及2000i以上的duv光刻机。
直到2024年，狗急跳墙，连1970i和1980di都要封杀。
理由就是这两款光刻机通过多重曝光之后，能够实现7n，甚至5纳米，威胁甚大！
现在的形势就是如此，今年猥琐发育，明年拿到1970i再说。
有了1