涛的陪同下，视察了高精尖的光刻机科研实验室，以及由duv光刻机主导下的芯片生产线。
在16年的时候，宣布实现了光刻机研发突破0的技术，主要还是在duv光刻机上获得了突破。
而euv这种高精尖光刻机仍然在研发中。
这两种光刻机的区别是在波长上。
buv光刻机，被成为深紫外光刻机，波长是在192纳米左右，而euv光刻机被成为极紫外光刻机，波长在13纳米左右，顾名思义，波长越短，精度越高，所制造出来的芯片性能也越先进。
duv光刻机现在能量产28纳米的芯片，14和7纳米的也能生产，只是质量并不理想。
28纳米的芯片已经能满足除了手机之外的大部分产业的需求了，手机则不同，需要更高端一些的芯片，也可以由duv光刻机生产，只是精度不太够，良品率不高，不过这些都不是问题，已经走到这一步了，往后再走应该也不会很难了。